金属性层状过渡金属硫族化合物（TMDs）具有共同的多体相互作用，包括竞争性超导和电荷密度波（CDW）状态。石墨烯被广泛用作异质外延衬底，用于TMD层的生长和欧姆接触，其中自然形成了石墨烯/TMD异质结。石墨烯的存在会不可预测地影响2D CDW导体中的CDW顺序。

有鉴于此，近日，西北工业大学黄维院士、新加坡南洋理工大学于霆教授以及复旦大学丛春晓教授（共同通讯作者）等合作报道了石墨烯/NbSe2异质结中2H-NbSe2层的CDW转变。拉曼光谱的演变表明，当被石墨烯封端时，NbSe2的CDW相变温度（TCDW）显著降低。通过扫描隧道显微镜测量可以确认诱导的反常短程CDW状态。研究结果提出了通过监测A1g模式的线形来确定TCDW的新标准。同时，还发现了2D带作为观察CDW转变的指示。第一性原理计算表明，界面电子掺杂通过阻止2H-NbSe2的晶格畸变来抑制CDW状态。非同寻常的随机CDW晶格暗示了对许多共同电子状态形成机理的深刻洞察，并在调制多功能器件方面具有巨大潜力。

图1. SiO2/Si衬底上的石墨烯/NbSe2异质结。

图2.石墨烯/NbSe2异质结的CDW转变温度。

图3.石墨烯/2H-NbSe2异质结在77.8 K温度下的STM/STS图像。

图4.石墨烯/2H-NbSe2异质结的第一性原理计算。

文献信息：

Visualizing the Anomalous Charge Density Wave States in Graphene/NbSe2 Heterostructures

(Adv. Mater., 2020, DOI:10.1002/adma.202003746)

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202003746