西电新闻网讯（通讯员 梁森）近日，西安电子科技大学集成电路学部刘琛副教授等人和北京大学深圳研究院、香港中文大学（深圳）张敏团队合作，在《Advanced Materials》（5年IF=30.2）发表题为《Ultra-Flexible High-Linearity Silicon Nanomembrane Synaptic Transistor Array》的研究成果。论文第一单位为西安电子科技大学，论文的通讯作者为刘琛副教授和张敏教授。

随着人工智能驱动的应用（如可穿戴健康监测、人机交互等）需求不断增长，亟待开发能够实现高性能神经形态计算的突触晶体管。目前硅纳米膜晶体管主要存在介电层机械柔性差、硅纳米膜界面电荷调制难等方面的挑战，极大地限制了其在模拟生物突触功能方面的应用。

针对上述难题，研究团队在超薄硅纳米膜表面集成了一种新型有机-无机混合栅介质，实现了超柔性突触晶体管。器件在经历了曲率半径仅为2.2mm的10000次弯折循环后仍保持优异的电学性能，通过调控栅极脉冲电压和宽度实现对突触后电流的精确控制，有望用于机械狗、烟雾预警器等前沿领域。该突触晶体管在长期特性中展现了极佳的线性度，应用于手写数字识别准确率高达93.2%。本研究提出的柔性硅纳米膜突触晶体管为下一代可穿戴神经形态电子设备的发展、系统集成和应用提供了一种有潜力的候选器件。

超柔性硅纳米膜突触晶体管器件及应用

论文信息：JiahaoZhu#, Chen Liu#,*,RuiyiGao,YumingZhang,HaonanZhang,ShiyuanCheng,DexingLiu,JialiangWang, Qi Liu,ZifanWang,XinweiWang,YufengJin, and Min Zhang*Ultra-Flexible High-Linearity Silicon NanomembraneSynaptic Transistor Array,Advanced Materials, 2025, 2413404.

论文链接：

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202413404