碳化硅材料具有高功率、耐高温以及抗辐照等优良特性，这些特性决定了SiC基电力电子器件在高压、高温、高效率、高频率等应用领域具有极大的优势，将极大地提高现有能源的转换效率。不仅推进固态电子器件的更新换代，同时能在输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，另外在太阳能、风能等新能源领域也具有广阔的应用前景。中心围绕碳化硅（SiC）电力电子器件设计和芯片关键工艺应用开展了一系列的课题研究，完成了碳化硅（SiC）高功率器件仿真技术、碳化硅（SiC）材料局部掺杂控制技术、电场调制终端保护技术、栅介质界面改善技术等方面的理论研究突破和关键技术创新。代表性成果包括：1.2kV/3.3kV/5kV SiC JBS器件； 2kV SiC BJT器件；1.2kV 7.5A SiC VDMOSFET器件等。2019年实现1200V 150A SiC MOSFET器件。