针对氮化镓微波毫米波器件的高频增益降低、高电压下可靠性降低及减小沟道电阻和泄漏电流等问题，提出并实现了氮化镓微波功率器件的低损伤凹槽绝缘栅技术，研制的绝缘栅器件较传统的肖特基器件栅极泄漏电流降低3个数量级，其微波功率附加效率达到85%（2015年），为当时国际最高水平；对高电压导致的栅极泄漏电流和电流崩塌难题，首次将场板结构用于氮化镓器件，发明了新型浮空场板结构，使峰值电场强度降低30%以上，将工作电压从常规28V提高到50V以上，显著提升了器件工作效率；AlGaN/GaN因压电极化效应使器件难以工作在亚毫米波以上频段，为此首次提出刻蚀后低温表面修复技术，采用低温采用低温N2O等离子体处理表面，使100nm沟道长度器件关态电流降至2×10-9A/mm，最大振荡频率fmax达319 GHz，在30GHz功率附加效率达51%。相关成果获国家科学技术奖。_^。