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紫外与深紫外光电器件
编辑: 文章来源: 发布时间:2024-07-10 阅读次数:

突破了氮化物紫外光电器件关键技术,成功实现典型波长395nm下光功率32mW、385nm 下18mW、280nm下46mW的紫外和深紫外器件批量生产,为我国高效率、低能耗、长寿命LED紫外光源技术发展与产业化做出重大贡献。系统解决了从材料、器件到可靠性的重要难题,推动我国紫外和深紫外LED的产业化;支撑三安光电、中为光电、青岛杰生等企业在国际半导体照明市场上的竞争力,拥有该技术领域内的自主知识产权。相关成果获国家科学技术奖。

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