6月24日，2023年度国家科学技术奖在京揭晓，共评选出250个项目和12名科技专家。其中，国家最高科学技术奖2人，国家自然科学奖49项，国家技术发明奖62项，国家科学技术进步奖139项，授予10名外国专家中华人民共和国国际科学技术合作奖。本报记者采访了部分获得国家科学技术奖一等奖的高校团队。

西安电子科技大学马晓华团队：

蹚出宽禁带半导体技术创新之路

6月24日，2023年度国家科学技术奖揭晓，西安电子科技大学微电子学院教授马晓华牵头的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目荣获国家科学技术进步奖一等奖。该项目有效解决了氮化镓功率放大器在高效率、宽带宽、线性度等方面的问题，形成了全链条自主可控的氮化镓射频功放技术体系，实现了全球最大规模的5G通信产业化应用。

成绩的背后，凝聚着西安电子科技大学宽禁带半导体团队数十年的研发心血。多年来，这支拥有30多名教授、副教授，30多名青年教师，以及150多名硕博研究生的科研团队，瞄准宽禁带半导体前沿技术，勇担强“芯”使命，深化产学研用合作，推动我国宽禁带半导体技术研究迈向国际先进行列，为我国宽禁带半导体的发展树起了新的里程碑。

瞄准国家重大战略，会聚高水平创新团队——

20多年来，宽禁带半导体团队主动服务国家高水平科技自立自强，持续深耕化合物半导体材料和器件领域，努力突破“卡脖子”技术，走出了一条“顶天立地”的科技创新之路。

团队聚力建设国内一流宽禁带半导体领域人才中心和创新高地。建立老中青“传帮带”机制，形成“华山领军教授—特聘教授—菁英教授—准聘副教授”多层次人才培育网络，帮助优秀人才脱颖而出。团队带头人郝跃院士发起设立“芯缘科创基金”，鼓励“从0到1”突破，激励青年人才科研创新。

团队瞄准新一代半导体射频器件、功率器件、探测传感器件等重大关键技术，致力于攻克频率、功率、效率、可靠性等亟待解决的关键科技问题，已经实现了多项关键核心技术突破，氮化镓器件效率持续刷新世界纪录，近5年获省部级以上成果奖8项，带动我国第三代半导体达到国际领先水平。近两年来，团队多名成员先后入选国家级和省部级各类人才支持计划。

深化教育教学改革，提升思政课育人实效——

“发丝上建高楼”的半导体制造人才，是当前全球高科技领域较量的制高点。

为了打造符合时代和行业发展需求的高水平育人体系，宽禁带半导体教师团队紧跟行业发展前景，及时增设“纳米电子学基础”等前沿课程13门、新增新实验35个，组织开展青年教师示范观摩课、教学质量提升研讨会、华山学者引领计划、一流课程传承与发展等研讨会，力图将团队人才优势转化为人才培养新势能。

团队将思想政治工作贯穿教育教学全过程，帮助“芯”青年厚植家国情怀，传承“芯”火希望。2017年，在学院党委号召下，微电子学院一群学生组成红色朝阳班，由郝跃担任班主任，形成特色鲜明的党建导学思政工作体系。微电子学院院长郑雪峰说：“要让学生对于解决材料、器件、工艺等基础性问题有一种责任感和使命感，激发他们深入探索专业知识的兴趣和主动性。”

基于此，他们建设课程思政典型案例库，修订融合思政元素的培养方案和课程大纲，构建以兴趣为导向的“1+3+10”的网格导学体系和“五位一体”的育人活动体系等，在探索全过程思政育人方面拓宽载体、丰富内容、强化师资，将思政元素融入课堂教学、日常生活各个环节，实现立德树人润物无声。

产学研用深度融合，协同突破共性难题——

晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积……在西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心实验室，身穿超净服的师生有条不紊地忙碌着。作为产学研用一体化平台，中心对标国际一流科研机构，整体规划建设2.2万平方米实验大楼和2800平方米超净实验室，高标准搭建“材料—器件—分测”研究工艺线，建成全国高校内唯一兼容4至6英寸的宽禁带半导体技术创新平台。

“依托这个平台，学生可以通过半导体设计、制备、测试等全流程的工艺实践，将一些创新的想法落地。”微电子学院教授祝杰杰说，整个研究与产业应用结合得非常紧密，这些创新性成果能够显著提升产品应用性能。

为推动产学研用深度融合，宽禁带半导体团队积极与区域经济社会发展和行业、产业需求对接，共同探索重点产业和新兴产业升级发展中的前瞻性、先导性、探索性技术问题。同时，积极与龙头企业开展全链条合作，协同开展行业共性技术攻关。

团队还与企业在师资培养、课程设置、教材开发及工具培训等方面深入合作，构建起校企深度融合、产教协同育人体系。目前，宽禁带半导体团队年均毕业本硕博学生近千名，是国内高校集成电路领域人才培养规模最大、培养质量一流的人才基地。