（通讯员：陈明，郭强）11月18日晚，微电子学院冯倩教授受邀为2018级微电子科学与工程专业全体学生讲授《微电子导师大讲堂》第十一讲——宽禁带半导体Ga₂O₃材料与器件的研究进展。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体越来越受关注，它们在未来的大功率、高温、高压应用场景将发挥传统硅基器件无法实现的作用。除了SiC和GaN，近年来，氧化镓(Ga₂O₃)进入了人们的视野。

冯倩从材料特点、材料生长方法等方面详细介绍了Ga₂O₃材料研究进展。她表示，Ga₂O₃导电性能和发光特性良好，广泛应用于气体探测器、荧光材料、紫外探测器、传感器及功率器件中。她指出，超宽的禁带宽度使得Ga₂O₃能够承受比Si、SiC和GaN更强的电场，此外氧化镓还能够承受更高的电压，这使得它在制造小型化、高效化大功率晶体管方面非常具有广阔前景。冯倩结合课题组科研项目介绍了Ga₂O₃肖特基二极管和MESFET器件的制备流程和工作原理。她强调，Ga₂O₃功率器件在与GaN和SiC相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约器件工作时的电能损失，对国家提倡高效、节能、环保有着重要意义。

冯倩还介绍了我国集成电路产业面临的挑战与机遇。她表示，中美贸易摩擦以来，华为、中兴等公司先后受到美国政府的制裁，国内集成电路产业形成了“巧妇难为无米之炊”的态势——仅能进行集成电路设计，在制造芯片上却寸步难行。她指出，集成电路行业发展受阻，不仅仅体现在民用电子设备中，更是引起了国家安全层面的高度重视。她强调，在核心技术上受制于人是最大隐患，此次的芯片禁售凸显了掌握核心技术的重要性，唯有自力更生，才能开拓创“芯”。