贾仁需博士

教授 博士生导师

单位：微电子学院

Email：rxjia@mail.xidian.edu.cn

Tel（fax）：029-88201241

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研究生招生：

专业：微电子学和固体电子学

方向：

（1）宽禁带半导体材料与器件（SiC，Ga₂O_3....）

（2）薄膜材料与器件

（3）新型光电材料与器件

人数：博士研究生1-2名/年，硕士研究生3-4名/年

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让我们共同努力，共创辉煌！

贾仁需，男。博士（2009），教授（2016），博士生导师（2015），陕西省青年科技新星（2016）

学习经历：

2004.9-2009.3

西安电子科技大学微电子学学院微电子学与固体电子学硕士、博士学位。研究领域为宽禁带半导体SiC外延材料及器件；导师张义门教授。

2000.9-2004.7

西安电子科技大学技术物理学院本科，专业：电子科学与技术

工作经历：

2009年4月— 至今
西安电子科技大学微电子学院张玉明课题组从事教学和科研工作。2009年晋升为讲师，2011年晋升为副教授，2016年晋升为教授。
2015年3月—2016年2月
瑞典林雪平大学IFM学院 访问学者，合作导师Prof. Wei-xin Ni

简介：
主要从事宽禁带半导体（SiC和Ga2O3）材料和器件方面研究工作。主持研究多项研究课题：02国家科技重大专项1项；国家自然科学基金重点项目1项，面上项目2项，青年基金1项；国家智能电网项目2项；*科研项目*1项；国家重点实验室开放课题1项；西安市科技局项目1项。参与研究国家重大专项“SiC半导体材料成套设备研发”，“半绝缘SiC半径衬底材料”，教育部支撑计划项目“SiC功率XXX”等多项科研项目。科研项目可支配经费累计3000余万元。近五年发表SCI学术论文30余篇，申请发明专利50余项，授权10余项。

入选陕西省高校首批“青年杰出人才支持计划”（2017.11.09）

【1】Interfacial characteristics and leakage current transfer mechanisms in organometal trihalide perovskite gate-controlled devices via doping of PCBM; Y Wang, Y Zhang, Y Liu, T Pang, Z Hu, Y Zhu, S Luan, R Jia; Journal of Physics D: Applied Physics 50 (47), 475101

【2】Energy-band alignment of (HfO 2) x (Al 2 O 3) 1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga 2 O 3 (-201); L Yuan, H Zhang, R Jia, L Guo, Y Zhang, Y Zhang; Applied Surface Science

【3】Leakage Current conduction mechanisms and Electrical properties of atomic-layer-deposited HfO2/Ga2O3 MOS capacitors;hongpeng Zhang¹,Renxu Jia².,Lei Yuan³,Xiaoyan Tang⁴,Yimen Zhang⁵andYuming Zhang⁶Journal of Physics D: Applied Physics